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用于半导体晶片的超声波清洗的去离子水的温度

作者: admin 时间:2019-05-23 来源:未知
摘要:1,一种制备去离子水的方法,该去离子水含有基本上100%饱和浓度的非反应性清洁增强气体,其在选择性升高的清洁温度和用于清洁半导体晶片的选择性伴随清洁压力下溶解于其中,该...

  1,一种制备去离子水的方法,该去离子水含有基本上100%饱和浓度的非反应性清洁增强气体,其在选择性升高的清洁温度和用于清洁半导体晶片的选择性伴随清洁压力下溶解于其中,该方法包括以下步骤:

 

  调节溶解在其中的所述气体的预定初始浓度的第一部分去离子水的溶解的非反应性清洁增强气体浓度和预定的初始较低温度,以在所述初始温度下提供溶解在其中的所述气体的预定的欠饱和调节浓度。

 

  调节所得到的调节气体浓度的第一部分去离子水的温度,通过以预定的比例混合第二部分去离子水的温度调节量,所述第二部分去离子水具有溶解在其中的所述气体的预定初始浓度和足够的预定初始温度,在所述清洁温度和所述清洁压力下,形成含有所述基本上100%饱和浓度的所述气体的去离子水的热槽,以清洁半导体晶片。

 

  2.其中所述清洁温度为约50-85℃,所述第一部分去离子水的所述初始较低温度为约15-30℃,所述第二部分去离子水的所述初始较高温度。水比所述清洁温度高约60-95℃并且至少高约5℃,并且所述清洁压力约为大气压。

 

  3.其特征在于,所述去离子水的所述第二部分具有溶解在其中的所述气体的基本上100%饱和的初始浓度,并且调节所述第一部分去离子水的气体浓度以提供低于饱和的调节浓度。其中溶解有至少约90%且至多低于100%饱和浓度的所述气体。

 

  4.还包括向所述热槽中添加化学清洁剂。

 

  5.还包括向所述热槽中加入包含过氧化氢和氢氧化铵的化学清洁剂。

 

  6.还包括向所述热槽中加入包含过氧化氢和氢氧化铵的化学清洁剂,以使去离子水与过氧化氢与氢氧化铵的体积比为约10:1:1至1,000:2:1。

 

  7.还包括通过使所述晶片与所述热槽接触来清洁半导体晶片。

 

  8.其特征在于,还包括通过将所述晶片浸入所述热槽中并将兆声振动施加到所述热槽来清洁半导体晶片。

 

  9.一种制备去离子水的方法,所述去离子水含有基本上100%饱和浓度的非反应性清洁增强气体,所述非反应性清洁增强气体在约50-85℃的选择性升高的清洁温度和约为大气压的选择性伴随清洁压力下溶解于其中。清洁半导体晶片,该方法包括以下步骤:

 

  调节溶解在其中的所述气体的预定初始浓度的第一部分去离子水的溶解的非反应性清洁增强气体浓度和约15-30℃的预定初始较低温度,以提供预定的欠饱和调节浓度在所述初始较低温度下溶解于其中的所述气体;

 

  调节所得到的调节气体浓度的第一部分去离子水的温度,通过以预定比例混合第二部分去离子水的温度调节量,所述去离子水具有溶解在其中的所述气体的预定初始浓度,并且初始较高温度为约60℃。-95℃并且比所述清洁温度高至少约5℃,足以在所述清洁温度和所述清洁压力下形成含有溶解于其中的所述基本上100%饱和浓度的所述气体的去离子水的热槽。半导体晶圆;和

 

  将所述晶片浸入所述热槽中并将兆声振动施加到所述槽中以清洁所述晶片。

 

  10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述去离子水的所述第二部分具有溶解在其中的所述气体的基本上100%饱和的初始浓度,并且调节所述第一部分去离子水的气体浓度以提供低于饱和的调节浓度。其中溶解有至少约90%且至多低于100%饱和浓度的所述气体。

 

  11.还包括将化学清洁剂添加到所述热槽中。

 

  12.还包括向所述热槽中加入包含过氧化氢和氢氧化铵的化学清洁剂。

 

  13.还包括向所述热槽中加入包含过氧化氢和氢氧化铵的化学清洁剂,以使去离子水与过氧化氢与氢氧化铵的体积比为约10:1:1至1,000:2:1。

 

  14.一种制备去离子水的方法,该去离子水含有基本上100%饱和浓度的非反应性清洁增强气体,其在选择性升高的清洁温度和用于清洁半导体晶片的选择性伴随清洁压力下溶解于其中,该方法包括以下步骤:

 

  将第一部分去离子水气化,该去离子水具有溶解在其中的预定初始浓度的非反应性清洁增强气体和预定的初始较低温度,以在所述初始较低温度下提供溶解在其中的所述气体的预定欠饱和调节浓度;和

 

  通过以预定比例将第一部分去离子水加热到所得到的调节气体浓度中,将预定初始浓度的所述气体溶解在其中的第二部分去离子水的温度调节量和预定的初始较高温度充分加热,以形成在所述清洁温度下具有溶解于其中的所述基本上100%饱和浓度的所述气体的去离子水的热槽和用于清洁半导体晶片的所述清洁压力。

 

  15.其中所述清洁温度为约50-85℃,所述第一部分去离子水的所述初始较低温度为约15-30℃,所述第二部分去离子水的所述初始较高温度。水比所述清洁温度高约60-95℃并且至少高约5℃,并且所述清洁压力约为大气压。

 

  16.其特征在于,所述去离子水的所述第二部分具有溶解在其中的所述气体的基本上100%饱和的初始浓度,并且调节所述第一部分去离子水的气体浓度以提供低于饱和的调节浓度。其中溶解有至少约90%且至多低于100%饱和浓度的所述气体。

 

  17.还包括向所述热槽中添加化学清洁剂。

 

  18.还包括向所述热槽中加入包含过氧化氢和氢氧化铵的化学清洁剂。

 

  19.还包括向所述热槽中加入包含过氧化氢和氢氧化铵的化学清洁剂,以使去离子水与过氧化氢与氢氧化铵的体积比为约10:1:1至1,000:2:1。

 

  20.还包括通过使所述晶片与所述热槽接触来清洁半导体晶片。

 

  21.其特征在于,还包括通过将所述晶片浸入所述热槽中并将兆声振动施加到所述热槽来清洁半导体晶片。

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